如图所示,xOy平面是无穷大导体的表面,该导体充满z<0的空间,z>0的空间为真空.将电荷为q的点电荷置于z轴上z=h处,则在xOy平面上会产生感应电荷.空间任意一点处的电场皆是由点电荷q和导体表面上的感应电荷共同激发的.已知静电平衡时导体内部场强处处为零,则在z轴上z=$\frac {h}{2}$处的场强大小为(k为静电力常量)( )
分析:
根据对称性,感应电荷在导体内外两侧空间产生的电场强度的大小相等,方向相反;而内部一点的电场强度为q和感应电荷产生的电场强度的合矢量.
解答:
解:在z轴上-$\frac {h}{2}$处,合场强为零,该点场强为q和导体近端感应电荷产生电场的场强的矢量和;
q在-$\frac {h}{2}$处产生的场强为:E$_1$=$\frac {kq}{($\frac {3}{2}$h)}$=$\frac {4kq}{9h}$;
由于导体远端离-$\frac {h}{2}$处很远,影响可以忽略不计,故导体在-$\frac {h}{2}$处产生场强近似等于近端在-$\frac {h}{2}$处产生的场强;
-$\frac {h}{2}$处场强为:0=E$_1$+E$_2$,故E$_2$=-E$_1$=-$\frac {4kq}{9h}$;
根据对称性,导体近端在$\frac {h}{2}$处产生的场强为-E$_2$=$\frac {4kq}{9h}$;
电荷q在$\frac {h}{2}$处产生的场强为:$\frac {kq}{($\frac {h}{2}$)}$=$\frac {4kq}{h}$;
故$\frac {h}{2}$处的合场强为:$\frac {4kq}{h}$+$\frac {4kq}{9h}$=$\frac {40kq}{9h}$;
故选:D.
点评:
本题考查了导体的静电平衡和场强的叠加原理,要结合对称性进行近似运算,难题.
如图1所示,半径为R的均匀带电圆形平板,单位面积带电量为σ,其轴线上任意一点P(坐标为x)的电场强度可以由库仑定律和电场强度的叠加原理求出:E=2πkσ[1-$\frac {x}{(R_+x)}$],方向沿x轴.现考虑单位面积带电量为σ_0的无限大均匀带电平板,从其中间挖去一半径为r的圆板,如图2所示.则圆孔轴线上任意一点Q(坐标为x)的电场强度为( )
分析:
已知均匀圆板的电场强度的公式,推导出单位面积带电量为σ_0的无限大均匀带电平板的电场强度的公式,然后减去半径为r的圆板产生的场强.
解答:
解:无限大均匀带电平板R取无限大,在Q点产生的场强:E$_1$=2πkσ[1-$\frac {x}{$\sqrt {}$}$]≈2πkσ
半径为r的圆板在Q点产生的场强:E$_2$=2πkσ[1-$\frac {x}{$\sqrt {}$}$]
无限大均匀带电平板,从其中间挖去一半径为r的圆板后的场强是两个场强的差,所以:E=E$_1$-E$_2$=2πkσ_0$\frac {x}{(r_+x)}$所以选项A正确.
故选:A
点评:
本题对高中学生来说比较新颖,要求学生能应用所学过的单位制的应用及极限法;本题对学生的能力起到较好的训练作用,是道好题.
ab是长为l的均匀带电细杆,P$_1$、P$_2$是位于ab所在直线上的两点,位置如图所示.ab上电荷产生的静电场在P$_1$处的场强大小为E$_1$,在P$_2$处的场强大小为E$_2$.则以下说法正确的是( )
分析:
由于细杆均匀带电,我们取a关于P$_1$的对称点a′,则a与a′在P$_1$点的电场互相抵消,整个杆对于P$_1$点的电场,仅仅相当于a′b部分对于P$_1$的产生电场.
而对于P$_2$,却是整个杆都对其有作用,所以,P$_2$点的场强大.
解答:
解:将均匀带电细杆等分为很多段,每段可看作点电荷.设细杆带正电根据场的叠加,这些点电荷在P$_1$的合场强方向向左,在P$_2$的合场强方向向右,且E$_1$<E$_2$.
故选D.
点评:
因为只学过点电荷的电场或者匀强电场,而对于杆产生的电场却没有学过,因而需要将杆看成是由若干个点构成,再进行矢量合成.
如图所示,一半径为R的圆盘上均匀分布着电荷量为Q的电荷,在垂直于圆盘且过圆心c的轴线上有a、b、d三个点,a和b、b和c、c和d间的距离均为R,在a点处有一电荷量为q(q>0)的固定点电荷.己知b点处的场强为k$\frac {2q}{R}$,则d点处场强的大小为(k为静电力常量)( )
分析:
根据点电荷场强公式E=k$\frac {Q}{r}$和电场的叠加原理,求出圆盘在b点处产生的场强,根据对称性得到圆盘在d产生的场强,再由电场的叠加求解d点的场强大小.
解答:
解:a处的点电荷q在b产生的场强大小为 E_b=k$\frac {q}{R}$
已知b点处的场强为k$\frac {2q}{R}$,根据电场的叠加原理得知圆盘在b点处产生的场强 E_b′=k$\frac {2q}{R}$-k$\frac {q}{R}$=k$\frac {q}{R}$,方向水平向右.
根据对称性可知圆盘在d产生的场强 E_d=E_b′=k$\frac {q}{R}$,方向水平向左
q在d处产生的场强大小为 E_d′=k$\frac {q}{(3R)}$,方向向右
则根据电场的叠加原理得知b点处场强的大小E=E_d-E_d′=k$\frac {8q}{9R}$
故选:C.
点评:
考查点电荷与圆盘电荷在某处的电场强度叠加,紧扣电场强度的大小与方向关系,从而为解题奠定基础.
已知均匀带电球体在球的外部产生的电场与一个位于球心的、电荷量相等的点电荷产生的电场相同.如图所示,半径为R的球体上均匀分布着电荷量为Q的电荷,在过球心O的直线上有A、B两个点,O和B、B和A间的距离均为R.现以OB为直径在球内挖一球形空腔,若静电力常量为k,球的体积公式为V=$\frac {4}{3}$πr_,则A点处场强的大小为:( )
分析:
本题采用割补的思想方法求解,先求出整个大球在B点产生的场强,再求出割出的小圆在A点产生的场强,利用整体场强等于空腔部分在A点产生场强和割掉的小圆球在A点产生的场强矢量和,从而求出A处的场强.
解答:
解:由题意知,半径为R的均匀带电体在A点产生场强为:
E_整=$\frac {kQ}{(2R)}$=$\frac {kQ}{4R}$
同理割出的小球半径为$\frac {R}{2}$,因为电荷平均分布,其带电荷量Q′=$\frac {$\frac {4}{3}$π($\frac {R}{2}$)}{$\frac {4}{3}$πR}$Q=$\frac {Q}{8}$
则其在A点产生的场强:
E_割=$\frac {kQ′}{($\frac {1}{2}$R+R)}$=$\frac {k•$\frac {Q}{8}$}{$\frac {9}{4}$R}$=$\frac {kQ}{18R}$
所以剩余空腔部分电荷在A点产生的场强E_x=E_整-E_割=$\frac {kQ}{4R}$-$\frac {kQ}{18R}$=$\frac {7kQ}{36R}$
所以:ACD错误,B正确.
故选:B
点评:
本题主要采用割补法的思想,根据整体球在A点产生的场强等于割掉的小球在A点产生的场强和剩余空腔部分在A点产生的场强的矢量和,掌握割补思想是解决本题的主要入手点,掌握点电荷场强公式是基础.
(多选)ab是长为L的均匀带电绝缘细杆,P$_1$、P$_2$是位于ab所在直线上的两点,位置如图所示.ab上电荷产生的电场在P$_1$处的场强大小为E$_1$,在P$_2$处的场强大小为E$_2$.则( )
分析:
由于细杆均匀带电,我们取a关于P$_1$的对称点a′,则a与a′关于P$_1$点的电场互相抵消,整个杆对于P$_1$点的电场,仅仅相对于a′b部分对于P$_1$的产生电场.
而对于P$_2$,却是整个杆都对其有作用,所以,P$_2$点的场强大.
解答:
解:A、B将均匀带电细杆等分为很多段,每段可看作点电荷.设细杆带正电根据场的叠加,这些点电荷在P$_1$的合场强方向向左,在P$_2$的合场强方向向右,两处的电场方向相反.取a关于P$_1$的对称点a′,则a与a′关于P$_1$点的电场互相抵消,整个杆对于P$_1$点的电场,仅仅相对于a′b部分对于P$_1$的产生电场,则知且E$_1$<E$_2$.故A错误,B正确.
C、D若将绝缘细杆的右边$\frac {1}{2}$截掉并移走(左边$\frac {1}{2}$电量、位置不变),由上分析可知,这截掉的$\frac {1}{2}$细杆在P$_1$点产生的场强大小为E$_1$,根据对称性可知,它在P$_1$点产生的场强大小也为E$_1$,所以截掉后P$_2$处的场强大小为E$_2$-E$_1$.故C正确,D错误.
故选BC
点评:
为只学过点电荷的电场或者匀强电场,而对于杆产生的电场却没有学过,因而需要将杆看成是由若干个点构成,再进行矢量合成.要充分利用对称性进行分析.